2N5551中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
制造应用 工业, 电源管理, 便携式器材, 消费电子产品, 信号处理
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210075
2N5551引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5551
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5551 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 160V 600mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N5551BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 160V 600mA 625mW | 功能相似 | NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N5551和2N5551BU的区别 |