2SA1162GT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2SA1162GT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SA1162GT1
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SA1162GT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistors | 搜索库存 |