2N5089中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 N-Channel
耗散功率 625 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N5089引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5089
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5089 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 25V 50mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBT3906LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -40V -200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3906LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE | 2N5089和MMBT3906LT1G的区别 |
| 型号： MMBT3904LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3904LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 300 hFE | 2N5089和MMBT3904LT1G的区别 |
| 型号： MMBT3904LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT3904LT3G. 射频双极性晶体管 | 2N5089和MMBT3904LT3G的区别 |