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2PD602AR,115

2PD602AR,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MPAK NPN 50V 0.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 500mA 160MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK


得捷:
TRANS NPN 50V 0.5A SMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7


2PD602AR,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 mW

增益频宽积 160 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2PD602AR,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2PD602AR,115 NXP 恩智浦 MPAK NPN 50V 0.5A 搜索库存
替代型号2PD602AR,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2PD602AR,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-346 NPN

当前型号

MPAK NPN 50V 0.5A

当前型号

型号: 2PD602ARL,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB NPN 250mW

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封装:

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