2PB709AQW,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
2PB709AQW,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
增益频宽积 60 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 160 @2mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160 @2mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2PB709AQW,115引脚图与封装图
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在线购买2PB709AQW,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2PB709AQW,115 | NXP 恩智浦 | UMT PNP 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号2PB709AQW,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2PB709AQW,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236 PNP | 当前型号 | UMT PNP 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： 2PB709AQW 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | PNP通用晶体管 PNP general purpose transistor | 2PB709AQW,115和2PB709AQW的区别 |
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