2N5401,412

NXP(恩智浦) 分立器件

SPT PNP 150V 0.3A

- 双极 BJT - 单 PNP 150 V 300 mA 300MHz 630 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 150V 0.3A TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD

艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.3A 630mW 3-Pin TO-92 Bulk

2N5401,412中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 630 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 50 @1mA, 5V

额定功率Max 630 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 630 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2N5401,412引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
2N5401,412	NXP 恩智浦	SPT PNP 150V 0.3A	搜索库存

替代型号2N5401,412

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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型号： 2N5401BU 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 PNP -150V -600mA 0.625W	功能相似	Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin TO-92 Bulk	2N5401,412和2N5401BU的区别
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型号： 2N5401 品牌：恩智浦封装： SPT PNP 150V 300mA	功能相似	PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor	2N5401,412和2N5401的区别