2SD2607FU6
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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