2SB1238TV2Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -700 mA
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Through Hole
封装 SIP-3
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 4.4 mm
封装 SIP-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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