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2SD1859TV2R

2SD1859TV2R

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ATV NPN 80V 0.7A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 700mA 120MHz 1W Through Hole ATV


得捷:
TRANS NPN 80V 0.7A ATV


Win Source:
TRANS NPN 80V 0.7A ATV


2SD1859TV2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 700 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SIP-3

外形尺寸

封装 SIP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD1859TV2R引脚图与封装图
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