2SD2033AT114E
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD2033AT114E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 160 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 1.8 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 HRT
外形尺寸
封装 HRT
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD2033AT114E引脚图与封装图
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