2SB1326TV2Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1326TV2Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 1500 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SIP-3
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 4.4 mm
封装 SIP-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1326TV2Q引脚图与封装图
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