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2SD1858TV2P

2SD1858TV2P

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ATV NPN 32V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 32V 1A 150MHz 1W Through Hole ATV


得捷:
TRANS NPN 32V 1A ATV


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT DVR NPN 32V 1A


Win Source:
TRANS NPN 32V 1A ATV


2SD1858TV2P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SIP-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 4.4 mm

封装 SIP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD1858TV2P引脚图与封装图
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