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2SA854STPR

2SA854STPR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SPT PNP 32V 0.5A

- 双极 BJT - 单 PNP 200MHz 通孔 SPT


得捷:
TRANS PNP 32V 0.5A SPT


Win Source:
TRANS PNP 32V 0.5A SPT / Bipolar BJT Transistor PNP 32 V 500 mA 200MHz 300 mW Through Hole SPT


2SA854STPR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72

外形尺寸

封装 SC-72

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA854STPR引脚图与封装图
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型号: 2SA854STPR

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SC-72 PNP -32V -500mA

当前型号

SPT PNP 32V 0.5A

当前型号

型号: 2SA854STPQ

品牌: 罗姆半导体

封装: SC-72 PNP -32V -500mA

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