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2SD1866TV2

2SD1866TV2

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

NPN 2A 60V达林顿管

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 60V 2A 1W Through Hole ATV


得捷:
TRANS NPN DARL 60V 2A ATV


贸泽:
达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 70V 2A 3-Pin ATV T/R


力源芯城:
NPN 2A 60V达林顿管


2SD1866TV2中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 1000

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SIP-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 4.4 mm

封装 SIP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD1866TV2引脚图与封装图
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