2SD2170T100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD2170T100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 90.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 90 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD2170T100引脚图与封装图
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在线购买2SD2170T100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD2170T100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SD2170T100 编带 | 搜索库存 |
替代型号2SD2170T100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD2170T100 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-89 NPN 90V 2A | 当前型号 | 2SD2170T100 编带 | 当前型号 |
| 型号： 2SD2195T100 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT3 N-Channel 100V 2A 500mW | 功能相似 | 达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A | 2SD2170T100和2SD2195T100的区别 |
| 型号： 2SD2170 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 | 功能相似 | 2SD2170 达林顿NPN Vcbo=90V Vces=90v Ic=2A HEF=1000~10000 代码/MARKING DM | 2SD2170T100和2SD2170的区别 |
| 型号： 2SD2195 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT NPN | 功能相似 | 2SD2195 达林顿 NPN Vcbo=100v Vceo=100v Ic=2A HEF=1000~10000 SOT-89 标记/MARKING DP | 2SD2170T100和2SD2195的区别 |