2SD1863TV2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1863TV2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SIP-3
外形尺寸
封装 SIP-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1863TV2R引脚图与封装图
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在线购买2SD1863TV2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1863TV2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ATV NPN 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号2SD1863TV2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1863TV2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： ATV NPN 80V 1A | 当前型号 | ATV NPN 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： 2SD1863TV2/R 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN | 2SD1863TV2R和2SD1863TV2/R的区别 |