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2N5401_J05Z

2N5401_J05Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N5401_J05Z中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5401_J05Z引脚图与封装图
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在线购买2N5401_J05Z
型号 制造商 描述 购买
2N5401_J05Z Fairchild 飞兆/仙童 TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 搜索库存
替代型号2N5401_J05Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5401_J05Z

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-226-3 PNP

当前型号

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

当前型号

型号: 2N5401RL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 PNP -150V -600mA

类似代替

放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon

2N5401_J05Z和2N5401RL1G的区别

型号: 2N5401G

品牌: 安森美

封装: TO-92 PNP -150V -600mA 625mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N5401G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 150 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

2N5401_J05Z和2N5401G的区别