2N3906_J25Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N3906_J25Z中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2N3906_J25Z引脚图与封装图
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在线购买2N3906_J25Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3906_J25Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 搜索库存 |
替代型号2N3906_J25Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3906_J25Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-226-3 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 当前型号 |
| 型号： 2N3906BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -40V -200mA 625mW | 类似代替 | Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N3906_J25Z和2N3906BU的区别 |