2SB1030A
数据手册.pdfPanasonic(松下)
分立器件
2SB1030A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 85 @150mA, 10V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 NS-B1
外形尺寸
封装 NS-B1
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2SB1030A引脚图与封装图
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在线购买2SB1030A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1030A | Panasonic 松下 | PNP硅外延平面型（低频放大） Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplification | 搜索库存 |
替代型号2SB1030A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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