2SA08850R

Panasonic(松下) 分立器件

TO-126B-A1 PNP 35V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 35V 1A 200MHz 5W Through Hole TO-126B-A1

得捷:
TRANS PNP 35V 1A TO126B-A1

2SA08850R中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -35.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 35 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 10V

额定功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA08850R引脚图与封装图

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