2N3583
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N3583中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 35 W
击穿电压集电极-发射极 175 V
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 10V
额定功率Max 35 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-66-2
外形尺寸
封装 TO-66-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2N3583引脚图与封装图 
2N3583引脚图
2N3583封装焊盘图
替代型号2N3583
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3583 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-66 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN High Power | 当前型号 |
| 型号： 2N6317 品牌： 美高森美 封装： TO-66 115000mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 60V 7A 3Pin2+Tab TO-66 | 2N3583和2N6317的区别 |
| 型号： 2N6315 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 7A IC, 60V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin | 2N3583和2N6315的区别 |