2N2222AUBTXV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 75 @1mA, 10V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 CLCC-4
外形尺寸
封装 CLCC-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
2N2222AUBTXV引脚图与封装图
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在线购买2N2222AUBTXV
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N2222AUBTXV | TT Electronics/Optek Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin CSMD | 搜索库存 |
替代型号2N2222AUBTXV
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N2222AUBTXV 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： 4-CLCC | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin CSMD | 当前型号 |
| 型号： 2N2222AUBTX 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： 4-CLCC | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin CSMD | 2N2222AUBTXV和2N2222AUBTX的区别 |
| 型号： 2N2222AUATX 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： 4-CLCC | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin CSMD | 2N2222AUBTXV和2N2222AUATX的区别 |
| 型号： 2N2222AUATXV 品牌： TT Electronics/Optek Technology 封装： 4-CLCC | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin CSMD | 2N2222AUBTXV和2N2222AUATXV的区别 |