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2SD132800L

2SD132800L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 NPN 20V 0.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1


得捷:
TRANS NPN 20V 0.5A MINI3


Win Source:
TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P


2SD132800L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD132800L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SD132800L Panasonic 松下 Mini3-G1 NPN 20V 0.5A 搜索库存
替代型号2SD132800L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SD132800L

品牌: Panasonic 松下

封装: TO-236 NPN 20V 500mA

当前型号

Mini3-G1 NPN 20V 0.5A

当前型号

型号: DSC2501T0L

品牌: 松下

封装: TO-236-3 NPN

完全替代

NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar type

2SD132800L和DSC2501T0L的区别

型号: DSC250100L

品牌: 松下

封装: TO-236-3

完全替代

NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar type

2SD132800L和DSC250100L的区别

型号: DSC2501R0L

品牌: 松下

封装: TO-236-3 NPN

完全替代

NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar type

2SD132800L和DSC2501R0L的区别