2N2222AUATXV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 75 @1mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 CLCC-4
外形尺寸
长度 5.72 mm
封装 CLCC-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
2N2222AUATXV引脚图与封装图
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在线购买2N2222AUATXV
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N2222AUATXV | TT Electronics/Optek Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin CSMD | 搜索库存 |
替代型号2N2222AUATXV
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N2222AUATXV 品牌: TT Electronics/Optek Technology 封装: 4-CLCC | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin CSMD | 当前型号 | |
型号: 2N2222AUATX 品牌: TT Electronics/Optek Technology 封装: 4-CLCC | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin CSMD | 2N2222AUATXV和2N2222AUATX的区别 |