2N2369AU
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TO-18-3
封装 TO-18-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准