2SA1862TLP
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SA1862TLP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -600 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 82 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 5.5 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SA1862TLP引脚图与封装图
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在线购买2SA1862TLP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA1862TLP | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP,-400V,-2A三极管 | 搜索库存 |
替代型号2SA1862TLP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA1862TLP 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252/DPAK/SC-63/CPT3 PNP -600V -1A 1000mW | 当前型号 | PNP,-400V,-2A三极管 | 当前型号 |
| 型号： A18-6 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A IC, 400V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, | 2SA1862TLP和A18-6的区别 |