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2SD1760TLR

2SD1760TLR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

功率晶体管( 50V , 3A ) Power Transistor 50V, 3A

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 180~390 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| features
.
Low VCEsat. VCEsat = 0.5V Typ. IC / IB = 2A / 0.2A structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点 *低VCE(SAT)。 VCE(饱和)= 0.5V (IC / IB=2A/0.2A) 结构 外延平面型 NPN硅
2SD1760TLR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 3.00 A

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 15000 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V

最大电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V

额定功率Max 15 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SD1760TLR引脚图与封装图
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在线购买2SD1760TLR
型号 制造商 描述 购买
2SD1760TLR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 功率晶体管( 50V , 3A ) Power Transistor 50V, 3A 搜索库存
替代型号2SD1760TLR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SD1760TLR

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: DPAK N-Channel 50V 3A 15000mW

当前型号

功率晶体管( 50V , 3A ) Power Transistor 50V, 3A

当前型号

型号: 2SD1760TLQ

品牌: 罗姆半导体

封装: TO-252/CPT3 N-Channel 50V 3A 15000mW

类似代替

外延平面型硅NPN晶体管 Epitaxial planar type NPN silicon transistor

2SD1760TLR和2SD1760TLQ的区别

型号: 2SD1760TLP

品牌: 罗姆半导体

封装: DPAK NPN 50V 3A

类似代替

CPT NPN 50V 3A

2SD1760TLR和2SD1760TLP的区别