2SB1183TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1183TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1183TL引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SB1183TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1183TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-428 PNP -40V -2A | 当前型号 | CPT PNP 2A | 当前型号 |
| 型号： 2SB1183 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT3 | 类似代替 | 达林顿连接高直流电流增益。 Darlington connection for high DC current gain. | 2SB1183TL和2SB1183的区别 |