2SB1184TLP
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1184TLP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1184TLP引脚图与封装图
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在线购买2SB1184TLP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1184TLP | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT PNP 50V 3A | 搜索库存 |
替代型号2SB1184TLP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1184TLP 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-428 PNP -50V -3A 1000mW | 当前型号 | CPT PNP 50V 3A | 当前型号 |
| 型号： 2SB1184TLR 品牌： 罗姆半导体 封装： DPAK PNP -50V -3A 1000mW | 类似代替 | PNP,-50V,-3A三极管 | 2SB1184TLP和2SB1184TLR的区别 |
| 型号： 2SB1184TLQ 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT3 PNP -60V -3A 1000mW | 类似代替 | 2SB1184 系列 50 V 3 A 表面贴装 PNP 功率晶体管 - SC-63 | 2SB1184TLP和2SB1184TLQ的区别 |
| 型号： 2SB1184-Q-TP 品牌： 美微科 封装： | 类似代替 | DPAK PNP 50V 3A | 2SB1184TLP和2SB1184-Q-TP的区别 |