2SD2195T100
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD2195T100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 1000
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 MPT-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2SD2195T100引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SD2195T100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD2195T100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A | 搜索库存 |
替代型号2SD2195T100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD2195T100 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MPT3 N-Channel 100V 2A 500mW | 当前型号 | 达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A | 当前型号 |
| 型号： 2SD2170T100 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 NPN 90V 2A | 功能相似 | 2SD2170T100 编带 | 2SD2195T100和2SD2170T100的区别 |