2SAR543DTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SAR543DTL中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
额定功率Max 10 W
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SAR543DTL引脚图与封装图
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在线购买2SAR543DTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SAR543DTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT PNP 50V 4A | 搜索库存 |
替代型号2SAR543DTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SAR543DTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： CPT3 PNP 1000mW | 当前型号 | CPT PNP 50V 4A | 当前型号 |
| 型号： 2SA2039-TL-E 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 PNP 800mW | 功能相似 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2SAR543DTL和2SA2039-TL-E的区别 |