2SD1758TLP
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1758TLP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 82 @500mA, 3V
额定功率Max 10 W
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1758TLP引脚图与封装图
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在线购买2SD1758TLP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1758TLP | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT NPN 32V 2A | 搜索库存 |
替代型号2SD1758TLP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1758TLP 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DPAK NPN 32V 2A | 当前型号 | CPT NPN 32V 2A | 当前型号 |
| 型号： 2SD1758TLQ 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT N-Channel 32V 2A 10000mW | 类似代替 | NPN三极管 40V 2A 100MHz 120~270 500mV TO-252 代码 | 2SD1758TLP和2SD1758TLQ的区别 |
| 型号： 2SD1758TLR 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT3 NPN 32V 2A 10000mW | 类似代替 | CPT NPN 32V 2A | 2SD1758TLP和2SD1758TLR的区别 |