2SD1760TLQ
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1760TLQ中文资料参数规格
技术参数
频率 90 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 3.00 A
额定功率 15 W
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 15 W
增益频宽积 90 MHz
集电极击穿电压 60.0 V
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 15 W
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 15000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2SD1760TLQ引脚图与封装图
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在线购买2SD1760TLQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1760TLQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 外延平面型硅NPN晶体管 Epitaxial planar type NPN silicon transistor | 搜索库存 |
替代型号2SD1760TLQ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1760TLQ 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252/CPT3 N-Channel 50V 3A 15000mW | 当前型号 | 外延平面型硅NPN晶体管 Epitaxial planar type NPN silicon transistor | 当前型号 |
| 型号： 2SD1760TLR 品牌： 罗姆半导体 封装： DPAK N-Channel 50V 3A 15000mW | 类似代替 | 功率晶体管（ 50V ， 3A ） Power Transistor 50V, 3A | 2SD1760TLQ和2SD1760TLR的区别 |
| 型号： 2SD1760TLP 品牌： 罗姆半导体 封装： DPAK NPN 50V 3A | 类似代替 | CPT NPN 50V 3A | 2SD1760TLQ和2SD1760TLP的区别 |
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