2SD1758TLQ
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定电压DC 32.0 V
额定电流 2.00 A
额定功率 10 W
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 10000 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
额定功率Max 10 W
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SD1758TLQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN三极管 40V 2A 100MHz 120~270 500mV TO-252 代码 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SD1758TLQ 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: CPT N-Channel 32V 2A 10000mW | 当前型号 | NPN三极管 40V 2A 100MHz 120~270 500mV TO-252 代码 | 当前型号 | |
型号: 2SD1758TLR 品牌: 罗姆半导体 封装: CPT3 NPN 32V 2A 10000mW | 类似代替 | CPT NPN 32V 2A | 2SD1758TLQ和2SD1758TLR的区别 |