2SD2679T100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD2679T100中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680 @200mA, 2V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MPT-3
外形尺寸
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD2679T100引脚图与封装图
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