2SD2153T100W
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD2153T100W中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 820 @500mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 1200 @500mA, 6V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD2153T100W引脚图与封装图
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在线购买2SD2153T100W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD2153T100W | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN | 搜索库存 |
替代型号2SD2153T100W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD2153T100W 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MPT NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN | 当前型号 |
| 型号： 2SD2153T100U 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89-3 NPN 25V 2A | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 25V 2A | 2SD2153T100W和2SD2153T100U的区别 |
| 型号： 2SD2153T100V 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT NPN 25V 2A 2000mW | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM | 2SD2153T100W和2SD2153T100V的区别 |