2SD1766T100R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1766T100R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 2.00 A
额定功率 2 W
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1766T100R引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SD1766T100R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1766T100R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SD1766 系列 32 V 2 A 表面贴装 NPN 中等功率 晶体管 - SC-62 | 搜索库存 |
替代型号2SD1766T100R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1766T100R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MPT NPN 32V 2A 2000mW | 当前型号 | 2SD1766 系列 32 V 2 A 表面贴装 NPN 中等功率 晶体管 - SC-62 | 当前型号 |
| 型号： 2SD1766T100 品牌： 罗姆半导体 封装： | 类似代替 | MPT NPN 32V 2A | 2SD1766T100R和2SD1766T100的区别 |
| 型号： 2SD1766T100Q 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 NPN 32V 2A 2000mW | 功能相似 | 中等功率晶体管（ 32V ， 2A ） Medium power transistor 32V, 2A | 2SD1766T100R和2SD1766T100Q的区别 |
| 型号： 2DD1766R-13 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 NPN 1W | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 32V 2A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 2SD1766T100R和2DD1766R-13的区别 |