2SB1189T100Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1189T100Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -700 mA
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 120 @0.1A, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1189T100Q引脚图与封装图
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在线购买2SB1189T100Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1189T100Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SB1189 系列 80 V 0.7 A 表面贴装 PNP 中等功率晶体管 - SC-62 | 搜索库存 |
替代型号2SB1189T100Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1189T100Q 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-89 PNP -80V -700mA 2000mW | 当前型号 | 2SB1189 系列 80 V 0.7 A 表面贴装 PNP 中等功率晶体管 - SC-62 | 当前型号 |
| 型号： 2SAR514PT100 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT-3 PNP | 功能相似 | MPT PNP 80V 0.7A | 2SB1189T100Q和2SAR514PT100的区别 |