2SB1132T100R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1132T100R中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -1.00 A
额定功率 2 W
极性 PNP
耗散功率 2 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
2SB1132T100R引脚图与封装图
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在线购买2SB1132T100R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1132T100R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SC-62 | 搜索库存 |
替代型号2SB1132T100R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1132T100R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-89 PNP -32V -1A 2000mW | 当前型号 | 2SB1132 系列 32 V 1 A 表面贴装 PNP 中等功率 晶体管 - SC-62 | 当前型号 |
| 型号： 2SB1132R 品牌： 罗姆半导体 封装： | 类似代替 | 晶体管| BJT | PNP | 32V V（ BR ） CEO | 1A I（C ） | SC- 62 TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V VBRCEO | 1A IC | SC-62 | 2SB1132T100R和2SB1132R的区别 |
| 型号： 2SB1132 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 中等功率晶体管（ -32V ， -1A ） Medium Power Transistor −32V,−1A | 2SB1132T100R和2SB1132的区别 |
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