2SB1424T100R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SB1424T100R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 240 MHz
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1424T100R引脚图与封装图
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在线购买2SB1424T100R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1424T100R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SB1424 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat 晶体管 - SC-62 | 搜索库存 |
替代型号2SB1424T100R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1424T100R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-89 PNP -20V -3A 500mW | 当前型号 | 2SB1424 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat 晶体管 - SC-62 | 当前型号 |
| 型号： 2DB1424R-13 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 PNP 1000mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 20V 3A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 2SB1424T100R和2DB1424R-13的区别 |