2SD1664T100R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1664T100R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 1.00 A
额定功率 2 W
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 3V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
封装 MPT-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SD1664T100R引脚图与封装图
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在线购买2SD1664T100R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1664T100R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 中等功率晶体管（ 32V ， 1A ） Medium Power Transistor 32V, 1A | 搜索库存 |
替代型号2SD1664T100R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1664T100R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-89 NPN 32V 1A 500mW | 当前型号 | 中等功率晶体管（ 32V ， 1A ） Medium Power Transistor 32V, 1A | 当前型号 |
| 型号： 2SD1664T100P 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 NPN 32V 1A | 类似代替 | 2SD1664 系列 32 V 1 A 2 W 表面贴装 中等功率 晶体管 - MPT3 | 2SD1664T100R和2SD1664T100P的区别 |
| 型号： 2SD1898T100R 品牌： 罗姆半导体 封装： MPT3 NPN 80V 1A 2W | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ROHM### 双极晶体管，ROHM | 2SD1664T100R和2SD1898T100R的区别 |
| 型号： 2DD1664R-13 品牌： 美台 封装： SOT-89-3 NPN 1000mW | 功能相似 | 2DD1664R-13 编带 | 2SD1664T100R和2DD1664R-13的区别 |