2SD1664T100Q
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SD1664T100Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 1.00 A
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 MPT-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2SD1664T100Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1664T100Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 2SD1664 系列 32 V 1 A 表面贴装 NPN 中等功率晶体管 - MPT-3 | 搜索库存 |