2SCR293PT100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
频率 320 MHz
极性 NPN
耗散功率 2 W
增益频宽积 320 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MPT-3
封装 MPT-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SCR293PT100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SCR293PT100 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: MPT NPN 2W | 当前型号 | 30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: 2DD1664P-13 品牌: 美台 封装: SOT-89-3 NPN | 功能相似 | TRANS BIPO NPN 32V SOT89-3 | 2SCR293PT100和2DD1664P-13的区别 |