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2SCR293PT100

2SCR293PT100

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 1 A 320MHz 2 W 表面贴装型 MPT3


得捷:
TRANS NPN 30V 1A MPT3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 4-Pin3+Tab MPT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab MPT T/R


力源芯城:
30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管


Win Source:
TRANS NPN 30V 1A MPT3 / Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 1 A 320MHz 2 W Surface Mount MPT3


2SCR293PT100中文资料参数规格
技术参数

频率 320 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

增益频宽积 320 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 680

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 MPT-3

外形尺寸

封装 MPT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SCR293PT100引脚图与封装图
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在线购买2SCR293PT100
型号 制造商 描述 购买
2SCR293PT100 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管 搜索库存
替代型号2SCR293PT100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SCR293PT100

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: MPT NPN 2W

当前型号

30V,1A,单中等功率NPN型双极晶体管

当前型号

型号: 2DD1664P-13

品牌: 美台

封装: SOT-89-3 NPN

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