2SC5729T106Q
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SC5729T106Q中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 120 @50mA, 2V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2SC5729T106Q引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC5729T106Q | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN | 搜索库存 |
替代型号2SC5729T106Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC5729T106Q 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： UMT NPN 200mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN | 当前型号 |
| 型号： KSC2859YMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN | 功能相似 | 低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier | 2SC5729T106Q和KSC2859YMTF的区别 |