额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.50 A
额定功率 0.2 W
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 270
最大电流放大倍数hFE 680
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SB1695KT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | PNP 功率晶体管,Rohm ### 双极晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2SB1695KT146 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: 3SMT PNP -30V -1.5A 200mW | 当前型号 | PNP 功率晶体管,Rohm### 双极晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: 2SB1731TL 品牌: 罗姆半导体 封装: 3-SMD -30V -1.5A 0.4W | 类似代替 | Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1.5A | 2SB1695KT146和2SB1731TL的区别 | |
型号: 2SB1695TL 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT3 PNP -30V -1.5A 500mW | 类似代替 | TSMT PNP 30V 1.5A | 2SB1695KT146和2SB1695TL的区别 | |
型号: QST7TR 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT-6 PNP -30V -1.5A | 功能相似 | TSMT PNP 30V 1.5A | 2SB1695KT146和QST7TR的区别 |