2SA1832-GR,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
2SA1832-GR,LF中文资料参数规格
技术参数
频率 80 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
物理参数
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SA1832-GR,LF引脚图与封装图 
2SA1832-GR,LF封装图
2SA1832-GR,LF封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA1832-GR,LF | Toshiba 东芝 | SSM PNP 50V 0.15A | 搜索库存 |