2SA1588-O,LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
2SA1588-O,LF中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 70 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 100 mW
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2SA1588-O,LF引脚图与封装图 
2SA1588-O,LF封装焊盘图
在线购买2SA1588-O,LF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA1588-O,LF | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Bias Resistor Built-in transistor | 搜索库存 |
替代型号2SA1588-O,LF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA1588-O,LF 品牌： Toshiba 东芝 封装： SOT-323 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Bias Resistor Built-in transistor | 当前型号 |
| 型号： FJX1182OTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-323 PNP -30V -500mA | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil | 2SA1588-O,LF和FJX1182OTF的区别 |