频率 400 MHz
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 2V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-85
封装 SC-85
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SCR522UBTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 400 MHz, 200 mW, 200 mA, 120 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SCR522UBTL 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT3F NPN | 当前型号 | 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 400 MHz, 200 mW, 200 mA, 120 hFE | 当前型号 | |
型号: 2SCR522MT2L 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-723 NPN 0.15W | 功能相似 | 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 400 MHz, 150 mW, 200 mA, 120 hFE | 2SCR522UBTL和2SCR522MT2L的区别 | |
型号: 2SCR522EBTL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT-3 NPN 150mW | 功能相似 | 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 400 MHz, 150 mW, 200 mA, 120 hFE | 2SCR522UBTL和2SCR522EBTL的区别 |