2SD20640S

Panasonic(松下) 分立器件

TOP-3F-A1 NPN 120V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 120V 6A 20MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1

得捷:
TRANS NPN 120V 6A TOP-3F

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 120V 6A 3-Pin TOP-3F-A1

2SD20640S中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 6.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

额定功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TOP-3

外形尺寸

封装 TOP-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

2SD20640S引脚图与封装图

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