2N4398
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Central Semiconductor
分立器件
2N4398中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 2V
额定功率Max 5 W
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N4398引脚图与封装图
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在线购买2N4398
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N4398 | Central Semiconductor | Power Bipolar Transistor, 30A IC, 40V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2Pin, TO-3, 2Pin | 搜索库存 |
替代型号2N4398
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4398 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-3 | 当前型号 | Power Bipolar Transistor, 30A IC, 40V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2Pin, TO-3, 2Pin | 当前型号 |
| 型号： 2N4399 品牌： NTE Electronics 封装： TO-3 PNP | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N4399 晶体管, PNP, 60V, 30A, TO-3 | 2N4398和2N4399的区别 |
| 型号： JANTX2N4399 品牌： 美高森美 封装： TO-3 PNP 5000mW | 功能相似 | 每PNP大功率硅晶体管合格MIL -PRF-四百三十三分之一万九千五 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/433 | 2N4398和JANTX2N4399的区别 |